STDLED625H

STDLED625H是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的表面贴装DPAK封装内。该器件设计用于在开关电源、电机控制和照明驱动等应用中作为高效功率开关，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，从而在关断时承受高电压应力，在导通时降低传导损耗。

该MOSFET具备620V的高漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对工业及消费类AC-DC电源中常见的反激式拓扑结构所产生的高压开关尖峰。在导通特性方面，其最大导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、1.9A电流条件下仅为2欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在23nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STDLED625H采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其连续漏极电流(Id)在壳温(Tc)条件下额定为4.5A，最大栅源电压(Vgs)为±30V，提供了安全的驱动裕量。器件支持高达150°C的结温(TJ)工作，最大功率耗散为70W（Tc），展现了其稳健的热性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以联系ST中国代理获取相关服务。

凭借其高耐压、适中的电流处理能力和优化的开关特性，该器件非常适用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、LED驱动电源以及小功率电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能效等级，并确保系统在严苛的电气环境下稳定可靠地运行。

• 型号:STDLED625H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STDLED625H是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心特性包括620V的高漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)处理能力，适用于需要高耐压开关的应用。

其技术参数表现出良好的开关效率，在10V驱动电压下，最大导通电阻(Rds(on))低至2欧姆（@1.9A），有助于降低导通损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)为23nC，有利于实现快速的开关切换并控制开关损耗。器件结温最高可支持150°C，确保了在高温环境下的工作可靠性。