STDLED656

STDLED656是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装内。该器件专为高效能、高电压开关应用而设计，其核心架构基于成熟的硅基工艺，确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。其内部结构优化了电荷平衡与电场分布，从而实现了较低的导通电阻与栅极电荷，这对于提升开关效率和降低开关损耗至关重要。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达650V，使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的交流线路电压波动与浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6A，结合70W的最大功率耗散能力，提供了良好的电流处理与热性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、2.7A电流条件下典型值仅为1.3欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体能效。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，栅极电荷（Qg）典型值低至34nC，这意味着驱动电路的设计可以更为简化，并能实现快速的开关切换，有效降低开关过程中的功率损失。

在电气接口与参数方面，STDLED656支持高达±30V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为895pF，较低的电容值有助于减少开关延迟和驱动功率需求。器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的散热性能和自动化生产兼容性。其最高结温（Tj）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。需要说明的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方渠道或ST授权代理咨询替代方案或库存信息。

凭借650V的高耐压和6A的电流能力，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动器和镇流器，以及电机控制、逆变器和工业电源中的高压侧开关。其优异的开关特性使其在追求高频率、高效率的现代电源设计中，能够有效降低电磁干扰（EMI）并提升功率密度。

• 型号:STDLED656
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STDLED656的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STDLED656是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心特性在于其650V的高漏源击穿电压与6A的连续漏极电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术参数表现出优异的开关性能，包括低至1.3欧姆的导通电阻（@10V， 2.7A）和仅34nC的栅极电荷（@10V），这有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。此外，其支持±30V的栅源电压和150°C的最高工作结温，确保了设计的鲁棒性与可靠性。