STE110NS20FD

STE110NS20FD是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MESH OVERLAY技术平台和ISOTOP封装。该器件在功率转换和管理应用中，旨在提供优异的导通性能和热管理能力。其核心架构基于优化的单元设计，通过降低栅极电荷和导通电阻的平衡，显著提升了开关效率和功率密度，适用于对效率和可靠性要求苛刻的工业环境。

该MOSFET具备200V的漏源电压（Vdss）和110A的连续漏极电流（Id），在25°C条件下可稳定工作。其导通电阻（RdsOn）在10V驱动电压和50A电流下仅为24毫欧，确保了低导通损耗，有助于减少系统发热。同时，栅极电荷（Qg）最大值为504nC @ 10V，结合输入电容（Ciss）最大7900pF @ 25V，优化了开关速度，降低了驱动电路的负担，提升整体响应性能。

接口和参数方面，STE110NS20FD采用底座安装方式，ISOTOP封装提供了出色的热传导特性，最大功率耗散可达500W（Tc），工作结温高达150°C，增强了器件在高温环境下的耐用性。栅源电压（Vgs）最大支持±20V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大4V @ 250A，确保了稳定的驱动兼容性和抗干扰能力。用户可通过ST授权代理获取详细技术支持和供货信息，以优化设计集成。

应用场景覆盖广泛的功率电子领域，包括开关电源、电机驱动、逆变器和工业自动化系统。其高电流能力和低导通电阻特性，使其特别适用于中高功率转换模块，如服务器电源、电动汽车充电桩和可再生能源设备。尽管该产品已停产，但其技术参数仍为现有系统维护和备件选型提供参考价值，体现了ST在功率半导体领域的深厚积累。

• 型号:STE110NS20FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:504 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE110NS20FD是ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，采用MESH OVERLAY技术和ISOTOP封装，提供200V漏源电压和110A连续漏极电流，适用于高功率应用。

其关键特性包括低导通电阻（24毫欧 @ 50A，10V）和优化的栅极电荷（504nC @ 10V），确保高效开关和低损耗。最大功率耗散500W（Tc）和工作结温150°C，增强了热性能和可靠性，适合工业电源和电机驱动系统。