STE26NA90

作为ST意法半导体旗下的一款高性能功率器件，STE26NA90采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于成熟的平面工艺，并封装于专为高功率密度和优异热管理设计的ISOTOP封装内。该封装技术有效降低了热阻，确保了器件在高功率耗散下的稳定运行，其结温最高可达150°C，为系统在严苛环境下的可靠性提供了保障。

该器件具备900V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级电源中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性上，其在10V驱动电压下，当漏极电流为13A时，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为300毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）典型值控制在660nC，这有助于优化开关速度并降低驱动电路的损耗，对于提升开关电源的开关频率和功率密度具有积极意义。

在电气参数方面，STE26NA90在壳温（Tc）条件下可支持高达26A的连续漏极电流，最大功率耗散能力达到450W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽至±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，平衡了开关速度与电磁干扰（EMI）性能。用户如需获取该产品的详细技术资料或采购支持，可以咨询专业的ST中国代理以获取准确信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，这款MOSFET非常适用于要求严苛的功率转换场景。其主要应用方向包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC变换器、不同断电源（UPS）系统以及电机驱动和逆变器平台。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高可靠性理念和性能参数，对于理解同类高压MOSFET的选型与替代仍具有重要的参考价值。

• 型号:STE26NA90
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:300 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:660 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE26NA90是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用底座安装的ISOTOP封装。其核心电气特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和26A（Tc）的连续漏极电流，能够满足高压、大电流应用场景的耐压与载流需求。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs条件下，13A电流时导通电阻最大值仅为300毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷为660nC，优化了开关动态性能。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高效能功率转换系统的理想选择。