STE88N65M5

STE88N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用创新的垂直结构设计，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在650V的高漏源电压（Vdss）等级下，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的出色折衷。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率、高功率密度的电源转换应用提供了坚实的半导体基础。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。在25°C的管壳温度（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达88A，确保了强大的电流处理能力。其导通电阻在42A电流和10V栅极驱动电压（Vgs）条件下，最大值仅为29毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平。同时，其栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为204nC，结合8825pF的输入电容（Ciss），表明器件具有较快的开关速度，有助于提升系统的工作频率并降低开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在封装与可靠性方面，STE88N65M5采用了ISOTOP封装。这种封装形式集成了高效的散热片，能够将芯片产生的热量快速导出，结合高达494W（Tc）的最大功率耗散能力和150°C的最高结温（TJ），赋予了器件卓越的热性能和功率处理能力，使其能够在严苛的热环境下稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借650V的耐压等级、高电流能力、低导通与开关损耗以及出色的热特性，STE88N65M5非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括工业电源（如服务器电源、通信电源）、可再生能源系统（如光伏逆变器、储能PCS）中的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器阶段，以及电机驱动和电焊机等设备中的功率开关单元。其性能平衡设计使其成为提升系统整体能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STE88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:494W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• 想获取STE88N65M5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STE88N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心规格包括650V的漏源击穿电压（Vdss）以及在管壳温度25°C下高达88A的连续漏极电流（Id）处理能力。

器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性的平衡。其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为29毫欧（@42A），有效降低了导通损耗。同时，204nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，从而控制开关损耗。结合其ISOTOP封装提供的优异散热能力（最大功耗494W @ Tc）和150°C的最高工作结温，STE88N65M5为高功率密度和高效率的电源设计方案提供了可靠的功率开关解决方案。