STF100N10F7

STF100N10F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和单元设计，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），实现了高功率密度与高效率的平衡。其核心在于DeepGATE技术，该技术通过增强栅极结构，在保持低栅极电荷的同时，提供了卓越的开关性能和坚固性，有效抑制了寄生导通等潜在风险，确保了系统在严苛工况下的长期可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数组合。其漏源击穿电压（V_DSS）为100V，适用于中高电压的功率转换场景。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达45A，展现了强大的电流处理能力。更为关键的是，其在10V栅极驱动电压、22.5A测试电流下的导通电阻典型值低至8毫欧，这一极低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其最大栅极总电荷（Q_g）仅为61nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。

在接口与封装方面，STF100N10F7采用标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式机械强度高，散热性能良好，便于通过散热器进行热管理。其最大栅源电压（V_GS）范围为±20V，提供了宽裕的安全裕度。器件的阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，配合30W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够适应从工业到汽车电子等多种环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。

基于上述技术特点，STF100N10F7非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用作同步整流、电机驱动（如电动工具、风扇控制）、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）中的主开关或同步开关元件。在服务器电源、工业电源、电动自行车控制器以及各类车载充电器（OBC）和直流变换器（DC-DC）中，其低导通电阻和快速开关特性能够有效降低系统能耗和温升，提升功率密度，是实现高性能、高可靠性电源解决方案的关键组件之一。

• 型号:STF100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF100N10F7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VII和DeepGATE技术的N沟道功率MOSFET。该器件在TO-220FP封装内集成了100V的漏源电压（V_DSS）和高达45A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流基础。

其核心优势体现在极低的功率损耗上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为8毫欧（@22.5A），显著降低了导通状态的能量损失。同时，最大61nC的低栅极电荷（Q_g）确保了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并允许更高的工作频率。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动和各类功率转换系统效率的理想选择。