STF10N95K5

STF10N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备高达950V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为8A，结合仅800毫欧（@ 4A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下极低的功率耗散。其栅极驱动特性经过精心调校，最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为5V，标准驱动电压为10V，便于与主流控制器直接兼容，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在22nC（@ 10V），这有助于降低开关过程中的驱动损耗并提升开关频率潜力。

在封装与可靠性方面，STF10N95K5采用TO-220FP通孔封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了机械强度与安装便利性。其最大功率耗散能力为30W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工作环境。对于需要稳定供货和技术支持的中国市场用户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。其输入电容（Ciss）典型值为630pF，结合优化的内部结构，有助于改善EMI性能。

凭借其高耐压、低导通损耗和稳健的开关特性，STF10N95K5非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如反激式、正激式转换器。它也是照明系统（如LED驱动）、工业电机控制辅助电源以及家用电器功率模块的理想选择。在设计中，工程师需重点关注其散热管理，以确保器件在推荐的工作温度范围内运行，从而充分发挥其性能并保证长期可靠性。

• 型号:STF10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至800毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这显著降低了高压应用中的传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，在10V驱动电压下，最大栅极电荷（Qg）仅为22nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。该MOSFET在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流，最大功率耗散为30W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和耐用性。