STF13N80K5

STF13N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第五代SuperMESH5技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅工艺，通过优化单元结构和外延层设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心架构旨在实现更低的开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于TO-220FP封装内，这种封装在提供良好散热性能的同时，也确保了与标准TO-220安装孔的兼容性，便于系统集成。

该器件具备多项突出的电气特性。其800V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰，提供了宽裕的安全工作裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动下，6A电流时的导通电阻典型值仅为450毫欧，这意味着在传导期间产生的功耗极低。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值低至29nC，结合适中的输入电容（C_iss），共同决定了其优异的开关性能，能够实现快速的开通与关断，从而有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在接口与参数层面，STF13N80K5设计有宽泛的栅极驱动电压范围（±30V），增强了系统的鲁棒性。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的导通控制。该器件在壳温（T_C）条件下可支持高达12A的连续漏极电流，最大功耗为35W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了其在高功率密度和严苛环境下的稳定运行潜力。对于需要可靠供应链保障的设计项目，可以通过ST授权代理获取正品器件和技术支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，STF13N80K5非常适合于要求高效率和高可靠性的功率电子应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，最终助力实现更紧凑、更高效的电源解决方案设计。

• 型号:STF13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF13N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括800V的漏源电压（V_DSS）和12A（T_C）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至450mΩ @ 6A，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_G典型值29nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有助于最小化开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为高性能开关电源、电机驱动和功率转换系统的理想选择。