STF14N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF14N80K5是一款基于先进MDmesh K5技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

得益于MDmesh K5技术的加持，STF14N80K5具备出色的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达800V，确保了在严苛的离线式电源或电机驱动环境下的高可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达12A，而导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流下典型值仅为445毫欧，这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为22nC（@10V），结合620pF的输入电容（Ciss @100V），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。

该MOSFET采用坚固的TO-220FP通孔封装，提供了良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为30W（Tc）。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了充足的驱动安全裕度。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V @ 100A，具有良好的噪声抑制能力。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应工业、汽车及消费电子等多种环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道获取此产品及相关设计资源。

综合其高压、低损耗、快速开关的特性，STF14N80K5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及不间断电源（UPS）等。在这些系统中，它能够有效提升能效等级，减小散热器尺寸，并增强系统的长期运行稳定性。

• 型号:STF14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF14N80K5是ST意法半导体生产的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至445毫欧（@6A），有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值22nC）和输入电容确保了快速的开关瞬态，有助于提升开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为追求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业控制系统的理想选择。