STF15N60M2-EP

STF15N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于第二代增强型MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为11A，提供了可观的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压和5.5A电流条件下，典型值仅为378毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，栅极总电荷（Q_g）典型值低至17nC（@10V），结合590pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于提高开关频率并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP绝缘封装，便于通孔安装并提供良好的散热路径。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了应用的灵活性。器件的阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了足够的噪声容限。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足严苛环境下的应用需求，最大功耗为25W（壳温条件下）。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STF15N60M2-EP非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并保障系统在宽温度范围内的稳定运行。

• 型号:STF15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF15N60M2-EP是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用先进的垂直结构技术，核心优势在于实现了600V高耐压与低导通电阻的优异结合。

其关键参数包括：11A的连续漏极电流、378毫欧的低导通电阻（@10V， 5.5A）以及仅17nC的低栅极电荷。这些特性共同确保了器件在导通和开关过程中具有极低的功率损耗。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和TO-220FP封装，使其能够胜任对效率和可靠性要求严苛的工业级应用。