STF15N65M5

STF15N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容参数，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动或感性负载关断时的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达11A，结合仅340毫欧（@5.5A, 10V）的最大导通电阻，确保了在导通期间具有较低的通态损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极电荷（Qg）仅为22nC，这有助于降低驱动电路的功耗和复杂性，提升开关速度。

在接口与关键参数方面，器件采用通孔安装的TO-220FP封装，具有良好的机械强度和散热特性。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为816pF，与较低的Qg值共同贡献了快速的开关瞬态响应。该MOSFET的结温（Tj）最高可工作于150°C，最大功率耗散为30W（Tc），展现了其稳健的热性能。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STF15N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）初级侧PFC（功率因数校正）电路和硬/软开关拓扑的理想选择，常见于服务器电源、工业电源、LED驱动电源以及空调变频驱动等设备中。其性能平衡点使其在提升能效等级和减小系统体积方面具有明显优势。

• 型号:STF15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF15N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压高效开关应用，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至340毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，使其在提升电源转换效率和开关频率方面表现突出，适用于对能效要求严苛的场合。

器件采用TO-220FP通孔封装，支持高达150°C的结温工作，确保了在恶劣环境下的可靠性和散热性能。这些特性使其成为工业电源、PC电源、照明驱动及电机控制等应用中功率开关部分的优选解决方案。