STF15NM60ND

作为ST意法半导体FDmesh II产品系列中的一员，STF15NM60ND是一款采用先进平面工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，结合了低栅极电荷与低导通电阻的特性，旨在实现高效率与低损耗的平衡。该器件采用TO-220FP封装，这种封装形式在提供良好散热性能的同时，也兼顾了通孔安装的机械稳固性，适用于对空间和散热有一定要求的功率电路板设计。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够提供低至299毫欧（在7A条件下）的导通电阻，这直接转化为更低的传导损耗，尤其在连续电流工作时优势明显。其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC，结合1250pF的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗得以显著降低，有利于提升系统在高频开关应用中的整体效率。高达600V的漏源击穿电压和14A的连续漏极电流能力，为其在高压、中功率场景下的稳定运行提供了坚实基础。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障供应链与产品可靠性的重要途径。

在接口与参数方面，该器件设计有标准的栅极、漏极和源极引脚。其栅源阈值电压最大值为5V，具备一定的噪声免疫能力，而栅源电压最大可承受±25V，为驱动电路的设计提供了充裕的安全裕量。最大30W的功率耗散能力（基于壳温）要求设计者必须为其配置适当的散热方案，以充分发挥其性能并保证长期工作的可靠性。这些电气参数共同定义了一个适用于高效能量转换的功率开关界面。

基于其高压、低损耗的特性组合，STF15NM60ND非常适合于开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它对提升系统能效、减小体积和增强可靠性方面能够做出直接贡献。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续性项目中，它仍然是一个经过验证的关键组件选择。

• 型号:STF15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF15NM60ND是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其FDmesh II系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与14A的连续漏极电流（Id）能力，为中高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧（@7A），有效降低了导通损耗；同时，最大40nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在要求高效率的开关电源和电机驱动等应用中表现出色。