STF16N90K5

STF16N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DK5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部寄生电容，这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET具备900V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为15A，结合低至330毫欧（在7.5A，10V条件下）的导通电阻，确保了在导通期间具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极电荷（Qg）仅为29.7nC，这有助于降低驱动电路的损耗并提升开关速度，对于提高系统整体效率意义重大。

在电气参数方面，STF16N90K5展现了全面的可靠性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，提供了较强的抗干扰能力。输入电容（Ciss）在100V条件下最大为1027pF，与较低的Qg共同构成了快速开关的基础。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了机械强度，其最大功率耗散能力为30W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术支持与供应保障。

凭借高耐压、低导通电阻与快速开关特性，这款器件非常适用于需要高效能和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源系统。在这些场景中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效能电源设计方案的关键组件之一。

• 型号:STF16N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF16N90K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF16N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DK5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）与15A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的耐压保障。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（330mΩ @ 7.5A，10V）与低栅极电荷（29.7nC @ 10V）的优异结合。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，显著提升开关电源等系统的整体效率。器件支持10V标准驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。