STF18N55M5

STF18N55M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备550V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用提供了充裕的电压裕量，增强了系统的可靠性。其导通电阻在典型工作条件下（如8A，10V栅极驱动时）最大值为192毫欧，较低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热量。栅极电荷（Q_g）典型值较低，约为31nC（@10V），结合1260pF的输入电容（C_iss），意味着它所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。

在封装与可靠性方面，STF18N55M5采用TO-220FP通孔封装，这种封装具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（T_J）高达150°C，允许在高温环境下稳定工作。器件在壳温（T_C）条件下可支持高达16A的连续漏极电流，最大功率耗散为25W。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了较宽的驱动安全区间。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保获得正品和技术支持。

凭借其高耐压、低导通与开关损耗的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括工业级开关电源、照明用LED驱动电源、服务器/通信电源的PFC级以及不同断电源（UPS）系统中的功率开关部分。它为工程师在设计高压侧开关或同步整流电路时，提供了一个在性能与成本间取得良好折中的解决方案。

• 型号:STF18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF18N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为550V漏源电压（V_DSS）和16A（T_C）连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：最大192毫欧的导通电阻（@8A,10V）确保了较低的导通损耗，而31nC（@10V）的典型栅极电荷和1260pF的输入电容则有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同提升了电源系统的转换效率。器件结温最高可达150°C，具备良好的热性能，适用于对可靠性要求较高的工业与通信电源领域。