STF19NF20

STF19NF20是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的MESH OVERLAY系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，其核心在于优化了单元密度与沟道电阻的平衡，通过独特的MESH OVERLAY布局技术，在硅片层面实现了更均匀的电流分布和更低的热点效应，从而在给定的芯片面积内显著提升了功率处理能力和可靠性。

作为一款200V耐压、15A连续电流能力的功率开关，其关键性能体现在优异的导通特性与开关速度上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值远低于160毫欧（@7.5A），这意味着在导通状态下具有更低的传导损耗，直接提升了系统的整体能效。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值仅为24nC，结合约800pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关电源应用中降低开关损耗。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声免疫能力和与主流控制器IC的兼容性。

该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于通过外部散热器实现高效的热管理，其结壳热阻（R_θJC）特性支持高达25W的功率耗散（壳温T_c条件下）。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的平衡特性，STF19NF20非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制中的H桥或半桥拓扑，以及不间断电源（UPS）和逆变器系统中的功率开关单元。其稳健的设计使其成为工业自动化、消费类电子电源和汽车辅助系统等领域的理想选择。

• 型号:STF19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF19NF20是ST意法半导体MESH OVERLAY系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的高性能定位：200V的漏源击穿电压（V_DSS）和15A的连续漏极电流（I_D）能力，为中等功率应用提供了充足的电压与电流裕量。

该器件的突出优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，其最大导通电阻低至160毫欧，有效降低了导通状态下的功率耗散。同时，较低的栅极电荷（24nC）和输入电容（800pF）确保了快速的开关速度，有助于提升开关电源的工作频率和效率。其设计兼顾了强固性与易用性，支持±20V的栅源电压和高达150°C的结温工作，适用于对可靠性和效率有严格要求的工业及消费类电源转换系统。