STF20NK50Z

STF20NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了优异的性能平衡。其核心设计目标是在高耐压（500V Vdss）条件下，显著降低导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升功率转换效率并降低开关损耗，这对于开关电源等高频应用至关重要。

该MOSFET的关键特性在于其出色的性能参数组合。在25°C管壳温度下，其连续漏极电流额定值高达17A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下典型值仅为270毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V Vgs条件下最大值为119nC，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并实现更高的开关频率，提升系统功率密度。器件采用TO-220FP封装，这种绝缘型封装无需额外的绝缘垫片，简化了散热器安装并提高了系统的绝缘可靠性，最大结温高达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。

在接口与参数方面，STF20NK50Z提供标准的通孔安装引脚。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±30V，提供了良好的抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大为4.5V，属于标准逻辑电平兼容范围。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为2600pF，是评估开关速度的重要参数之一。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多存量设计和备件市场中仍有一席之地，用户可通过ST中国代理等官方渠道咨询库存或替代方案信息。

得益于500V的高压耐受能力和优异的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式功率转换场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率开关。其设计旨在帮助工程师在诸如服务器电源、通信设备电源等中高功率应用中，实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STF20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF20NK50Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF20NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的耐压和载流基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为270毫欧（@8.5A），有效降低了导通损耗。同时，最大119nC的栅极总电荷（Qg）有助于降低开关损耗并允许更高的工作频率，从而提升整体电源效率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及工业电源等中高功率密度设计的理想选择。