STF21NM50N

STF21NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时优化了内部电荷分布，从而有效改善了开关性能，特别是在硬开关应用中的表现。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达18A，表明其具备较强的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升整体能效。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值为65nC（@10V），结合1950pF的输入电容（C_iss），共同决定了其开关速度与驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并控制开关损耗。

器件采用TO-220FP绝缘封装，这种封装形式在提供良好散热性能的同时，实现了管脚与安装散热片之间的电气隔离，简化了系统安装与绝缘设计。其最大结温（T_J）为150°C，确保了在高温环境下的稳定工作能力。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保获得正品和完整服务的推荐途径。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能指标，使其在诸多既有设计和备件更换市场中仍具参考价值。

基于其高耐压、大电流和低导通电阻的特性，STF21NM50N非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、不同断电源（UPS）的功率模块以及电机驱动控制电路中的高压开关部分。在这些应用中，它能够有效承担功率开关的核心职能，助力实现高功率密度和高效率的系统设计目标。

• 型号:STF21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF21NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至190毫欧（@9A），有助于显著降低导通损耗。同时，65nC的栅极总电荷（Q_g）有助于优化开关速度并控制驱动损耗。这些参数共同使其适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换场景。