STF21NM60ND

STF21NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于第二代FDmesh技术，该技术通过精细的单元结构和创新的工艺处理，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关性能和雪崩耐量。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高压环境下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为220毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的通态损耗和发热。此外，器件的栅极电荷（Qg）典型值为60nC，结合1800pF的输入电容（Ciss），意味着它需要较少的栅极驱动能量即可实现快速开关，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率潜力。其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在封装与可靠性方面，STF21NM60ND采用TO-220FP通孔封装，这种封装具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为30W（基于壳温）。器件结温（TJ）最高可工作至150°C，确保了在严苛环境下的鲁棒性。尽管该产品目前已处于停产状态，对于存量设计或特定备件需求，用户仍可通过正规的ST中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型的应用领域包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及照明领域的电子镇流器或LED驱动。在这些应用中，其优异的性能有助于提升系统效率、功率密度和可靠性。

• 型号:STF21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压与电流处理能力。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V Vgs条件下导通电阻（Rds(on)）典型值低至220毫欧，同时栅极电荷（Qg）仅为60nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有效降低了传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220FP封装，最大功率耗散为30W，最高结温达150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠运行。