STF24NM65N

STF24NM65N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于多外延层与独特的单元布局，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），显著提升了开关性能，同时保持了650V的高漏源击穿电压（Vdss），为高压开关应用提供了可靠的半导体基础。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与强健性展开。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、9.5A电流条件下典型值仅为190毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。得益于MDmesh II技术，其栅极电荷（Qg）被控制在较低水平（最大值70nC @ 10V），这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关电源设计。器件具备±25V的宽栅源电压（Vgs）范围和高达150°C的结温（TJ）工作能力，确保了在严苛环境下的稳定性和耐用性。

在电气参数与接口方面，STF24NM65N在25°C壳温（Tc）下可支持19A的连续漏极电流，最大功耗为40W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。TO-220FP封装形式兼顾了通孔安装的便利性与一定的散热性能，输入电容（Ciss）为2500pF，设计时需匹配相应的栅极驱动电路。对于需要可靠供货与技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链稳定的重要途径。

这款器件主要面向需要高效功率转换与管理的应用场景。其650V的耐压和良好的开关特性使其成为开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等系统中的理想选择。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在诸多现有设备和备件市场中依然具有重要价值，工程师在为其新产品选型时，可参考其技术参数作为对标基准。

• 型号:STF24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF24NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至190毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压环境下实现高效的功率传输，同时降低导通损耗。

其技术特性还包括较低的栅极电荷（Qg，最大值70nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ），这共同贡献了优秀的开关效率与高温环境下的运行可靠性。这些参数使其非常适用于对效率和鲁棒性有较高要求的开关电源与功率转换应用。