STF25NM50N

STF25NM50N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）乘积，这一关键指标直接决定了开关电源等应用中的转换效率与开关损耗。其内部架构专为降低寄生电容效应而设计，有助于提升高频开关性能，同时保持了功率半导体固有的坚固性与可靠性。

在功能特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达500V，能够从容应对工业级AC-DC变换、电机驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。其在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为22A，结合TO-220FP封装良好的热传导路径，确保了器件在持续高功率输出下的稳定工作。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可获得最低的导通电阻，最大栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了充足的驱动裕量与抗干扰能力。值得注意的是，其导通电阻在11A电流、10V驱动条件下典型值仅为140毫欧，而栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为84nC，这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其在追求高效率的拓扑结构中表现出色。

从接口与参数角度看，该器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这是一种广泛使用、便于散热器安装的工业标准封装形式。其最大允许结温（Tj）范围为-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。关键动态参数如输入电容（Ciss）在25V条件下最大为2565pF，与适中的栅极阈值电压（Vgs(th)最大4V）共同影响着开关速度与驱动电路的设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计与可靠的性能记录，使其在特定存量项目或对长期供货稳定性有要求的领域仍具参考价值，用户可通过授权的ST芯片代理渠道咨询库存或替代方案信息。

STF25NM50N典型的应用场景覆盖了中高功率的开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源的PFC（功率因数校正）和DC-DC变换级。它也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）的逆变与整流环节，以及照明领域的电子镇流器和LED驱动。在这些应用中，其500V的耐压和22A的电流能力为系统主功率开关提供了可靠的选择，其MDmesh II技术带来的低损耗特性有助于提升整机效率，满足日益严格的能效标准。

• 型号:STF25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF25NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（140mΩ @ 11A, 10V）与低栅极电荷（84nC @ 10V）的优异平衡，这有助于在开关电源等应用中显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持标准10V栅极驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景。