STF26N60M2

STF26N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了栅极电荷和输出电容，这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。作为ST旗下高性能功率半导体产品线的代表，它体现了在高压、大电流场景下对能量损耗和热管理的深度优化。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）25°C下高达20A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在严苛的电气环境下的可靠阻断与载流性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、11A漏极电流条件下典型值仅为165毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并采用TO-220FP封装，这种封装在提供良好通孔安装机械强度的同时，其外露的金属片有助于将内部产生的热量（最大功耗30W）更有效地传导至散热器，满足中高功率应用的散热需求。

在各类电源转换与电机控制系统中，STF26N60M2展现出广泛的应用潜力。它非常适合用作开关模式电源（SMPS）的初级侧开关，尤其是在反激、正激等拓扑中，其高压耐受能力和快速开关特性有助于实现高功率密度设计。在工业领域，它常被用于电机驱动、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备的逆变和功率调节环节。此外，在照明领域，如LED驱动和电子镇流器中，也能发挥高效节能的作用。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关技术支持。

• 型号:STF26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）低至165毫欧（@11A），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件采用TO-220FP通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备30W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的热可靠性和长期稳定性。