STF26NM60N-H

STF26NM60N-H是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单晶硅上实现了优化的单元密度与沟槽布局，其核心在于显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值系数（FOM）。这一架构确保了在高压开关应用中，器件能够同时兼顾低导通损耗与高开关效率，为电源系统的整体能效提升奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）提供了充裕的电压裕量，适用于市电整流后的高压总线环境。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为165毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在60nC（@10V），较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，降低了开关过程中的驱动损耗，有助于实现更高频率的开关操作。结合高达150°C的结温（T_J）工作能力，器件在高温环境下仍能保持可靠的性能。

在接口与参数层面，器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装形式，便于通过螺丝固定在散热器上，其30W（T_C=25°C）的功率耗散能力需要依赖有效的散热设计来实现。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大允许的栅源电压（V_GS）为±25V，为驱动电路提供了设计灵活性。此外，其阈值电压V_GS(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。客户在选型与采购时，可通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品支持与供货信息。

得益于其高压、低损耗的特性组合，STF26NM60N-H非常适合于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS）应用。典型应用场景包括工业级开关电源、PC和服务器电源的PFC（功率因数校正）电路与主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的功率转换部分，以及各类照明应用的电子镇流器或LED驱动电源。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少热量产生，并增强系统在严苛工况下的长期运行稳定性。

• 型号:STF26NM60N-H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF26NM60N-H是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和25°C下20A的连续漏极电流（I_D）。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至165毫欧（@10A），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为60nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升整体电源效率。这些特性使其成为高压、高效率电源设计的理想选择。