STF28N60DM2

STF28N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色平衡。这种架构的核心在于其创新的单元布局和沟槽技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时通过精心设计的栅极结构控制了开关过程中的电荷注入，从而在高压应用中兼顾了效率与开关速度。

该MOSFET具备600V的额定漏源电压（Vdss）和高达21A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理性能。其关键特性在于，在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为160毫欧（测试条件为10.5A），而栅极总电荷（Qg）典型值低至34nC。这一组合显著降低了导通损耗和开关损耗，对于提升系统整体效率至关重要。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了更宽的安全裕度和驱动灵活性。器件采用TO-220FP封装，这种绝缘型封装增强了安装的便利性和散热性能，最大功率耗散为30W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

在接口与参数方面，该器件具有典型的功率MOSFET三端子接口。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（测试条件为250A），便于与标准逻辑电平或驱动器配合使用。输入电容（Ciss）在100V偏置下最大为1500pF，结合低Qg特性，意味着对驱动电路的要求更为友好，有助于简化驱动设计并减少驱动损耗。这些电气参数共同定义了器件在开关电源、电机控制等动态应用中的优异表现。

得益于其高压、高效、高可靠性的特点，STF28N60DM2非常适用于需要高效能量转换的中高功率应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和照明镇流器。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，以确保获得正品和技术支持。

• 型号:STF28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF28N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，额定电压为600V，在25°C壳温下可连续承受21A的电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧，有效降低了导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）低至34nC，这有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的中高功率应用的理想选择。