STF28N60M2

意法半导体推出的STF28N60M2是一款采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了超结（Super-Junction）效应，通过精心布局的电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM）。这一核心架构使其在高压开关应用中能够兼顾高效率与快速开关性能，有效减少了导通损耗和开关损耗。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境下的可靠工作与安全裕量。在25°C壳温条件下，器件可承受高达24A的连续漏极电流，提供了强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在12A电流、10V栅极驱动电压下，Rds(on)最大值仅为150毫欧，这直接转化为更低的导通压降与功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至37nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着驱动电路需求简单，能够实现更快的开关速度并降低驱动损耗，这对于提升系统整体频率和效率至关重要。

在接口与关键参数方面，STF28N60M2采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装形式便于散热器安装并提供良好的电气隔离。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了抗干扰能力。器件的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具有良好的噪声抑制特性。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，配合30W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够适应苛刻的环境温度与功率循环要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品货源与技术支援。

基于其高性能参数，STF28N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机和太阳能逆变器等能源转换系统。在这些应用中，其低Rds(on)和高开关速度的优势得以充分发挥，有助于设计出更紧凑、能效更高的功率解决方案。

• 型号:STF28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF28N60M2是ST意法半导体MDmesh II Plus系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低至150毫欧（@12A, 10V）的导通电阻与仅37nC的低栅极电荷的优异组合，这使其在高压开关应用中能显著降低导通与开关损耗。

其24A（Tc）的高连续电流处理能力、宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）以及采用便于散热的TO-220FP绝缘封装，共同确保了其在严苛功率环境下的可靠性与耐久性。这些特性使其成为设计高效、高功率密度电源和电机驱动系统的理想选择。