STF2N95K5

STF2N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道架构，通过优化单元密度和沟道设计，在高压环境下实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡。其核心设计旨在降低开关损耗，提升功率转换效率，尤其适用于需要高耐压和快速开关特性的应用场景。

该器件具备950V的高漏源击穿电压（Vdss），为应对工业级电源中的电压尖峰和浪涌提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2A。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、1A漏极电流下典型值仅为5欧姆，这得益于SuperMESH5技术对导通通道的显著优化。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为10nC，极低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化驱动电路设计并提升系统频率。

在接口与参数方面，STF2N95K5采用标准的TO-220FP绝缘封装，便于通孔安装并提供良好的散热路径，其最大功率耗散能力为20W（Tc）。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，确保了驱动的可靠性。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为105pF，较小的电容值进一步减少了开关过程中的米勒效应。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STF2N95K5非常适合于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等应用。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，增强可靠性，并帮助设计者实现更紧凑、更高功率密度的电源解决方案。

• 型号:STF2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF2N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合仅5欧姆（@10V，1A）的低导通电阻，为高压开关应用提供了优异的电气性能。

其技术亮点还包括极低的栅极电荷（10nC @10V），这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动功率损耗。器件采用TO-220FP封装，最大功率耗散为20W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级电源、PFC电路及照明驱动等应用中的高可靠性和稳定性。