STF2NK60Z

STF2NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的掺杂和蚀刻工艺，显著增强了器件的击穿电压能力，同时有效控制了单元密度，从而在维持高阻断电压（600V）的前提下，将特定条件下的导通电阻（Rds(on)）控制在较低水平。

该MOSFET的突出特性体现在其高压开关性能上。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换、电机驱动等应用中的高压母线波动。10V栅极驱动电压下，最大导通电阻仅为8欧姆（在700mA条件下），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，结合170pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于在高频开关电路中工作。

在电气参数方面，STF2NK60Z在壳温（Tc）条件下可支持1.4A的连续漏极电流，最大功率耗散为20W。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备一定的噪声免疫能力，而±30V的最大栅源电压则为栅极驱动电路的设计提供了充足的裕量。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于通过外部散热器进行有效的热管理，确保其在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。对于需要获取此型号技术支持和供货信息的工程师，可以通过官方授权的ST代理商进行咨询。

凭借其高压、低栅极电荷和TO-220FP封装带来的散热便利性，该器件非常适合应用于对成本与可靠性有较高要求的中小功率场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及家用电器中的电机控制模块。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备的维护、备件供应以及某些对特定参数有要求的延续性设计中，它仍然是一个值得考虑的技术选项。

• 型号:STF2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF2NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Tc条件下），为高压中低电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优化的动态与静态参数上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（最大10nC）和输入电容确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源等应用的工作频率和效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备20W的功率耗散能力，结合封装特性，展现了良好的可靠性设计。