STF34NM60ND

STF34NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和精细的工艺控制，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的物理基础。其设计充分考虑了高电压工作下的可靠性，确保了器件在严苛条件下的稳定表现。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流线路电压波动与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达29A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻在10V栅极驱动电压、14.5A漏极电流条件下，最大值仅为110毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平。同时，其最大栅极总电荷（Q_G）典型值仅为80.4nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的负担，提升开关速度，从而优化高频应用中的效率。这些特性共同构成了其高效、快速开关的核心竞争力。

在接口与关键参数方面，STF34NM60ND采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装形式，便于通过外部散热器进行有效的热管理，其最大功率耗散为40W（T_C）。器件的栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，提供了安全的驱动裕量，而栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V（@250A），确保了与主流控制器良好的兼容性。其结温（T_J）最高可工作至150°C，拓宽了其在高温环境下的应用范围。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

得益于其优异的性能组合，STF34NM60ND非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换级、工业电机驱动与控制的逆变器模块、不间断电源（UPS）系统以及高效照明（如LED驱动）的功率级设计。在这些应用中，其低导通电阻和低栅极电荷的特性能够直接转化为更高的系统效率和更小的散热器尺寸，帮助设计工程师实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STF34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF34NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF34NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源电压（V_DSS）和29A（T_C）的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。

其技术亮点集中体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为110mΩ，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G，最大值80.4nC @10V）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些参数使其成为要求高效率与高可靠性的功率转换设计的理想选择。