STF35N65M5

STF35N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的特定导通电阻（Rds(on)），同时保持了优秀的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达27A，表明其具备强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、13.5A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至98毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在83nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，优化高频工作性能。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为40W（Tc）。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了安全的驱动电压范围。阈值电压Vgs(th)最大值为5V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。其工作结温（TJ）最高可达150°C，适应严苛的工作环境。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术资料、样品以及采购支持。

得益于其高电压、大电流和低损耗的特性，STF35N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关电源、服务器电源、通信电源、不间断电源（UPS）以及照明领域的电子镇流器和LED驱动。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的MDmesh V技术优势，仍在后续系列产品中得以延续和发展，为工程师在构建高效、可靠的功率电子解决方案时提供了重要的技术参考。

• 型号:STF35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF35N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与27A（Tc）的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为98毫欧 @ 13.5A，能有效降低传导损耗。同时，83nC @ 10V的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。这些参数共同指向了其在提升系统效率与功率密度方面的价值，适用于开关电源、PFC电路等对性能要求严苛的领域。