STF3NK80Z

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF3NK80Z是一款基于SuperMESH技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高压应用下的低导通损耗与高开关效率。其核心架构通过优化单元密度和沟道工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这一特性对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式开关电源等高压环境中提供了充裕的安全裕量。其导通电阻在10V驱动电压、1.25A漏极电流条件下典型值仅为4.5欧姆，结合极低的栅极电荷（Qg，最大值19nC），共同确保了快速开关特性和较低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。器件采用TO-220FP绝缘封装，不仅提供了良好的通孔安装机械强度，其绝缘特性也方便了散热器安装并增强了系统的电气安全性。

在电气参数方面，STF3NK80Z在25°C壳温下可连续通过2.5A电流，最大功耗为25W。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅源电压可承受±30V，这为驱动电路提供了较高的噪声容限和可靠性保障。输入电容（Ciss）最大值为485pF，与低Qg特性协同工作，进一步优化了开关动态性能。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。

这款器件主要面向需要高耐压和高效开关的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和反激式转换器、照明系统的电子镇流器、工业电机辅助电源以及家用电器中的功率控制部分。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品原装性和供应链可靠性的重要途径。

• 型号:STF3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3NK80Z是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和2.5A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（4.5Ω @ 10V, 1.25A）与低栅极电荷（19nC @ 10V）的良好平衡，这有助于降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体效率。结合其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和±30V的栅源电压耐受能力，该器件在可靠性及驱动鲁棒性方面表现出色。