STF40N20

STF40N20是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过先进的沟槽栅工艺实现了优异的电气性能，能够在高电压下稳定工作，同时保持良好的开关特性。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达200V，确保了其在工业级电源和电机驱动等环境中的坚固性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为40A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，典型值仅为45毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过ST授权代理获取详细的技术支持和供货信息。

在动态性能方面，栅极总电荷（Qg）最大值为75nC，结合10V的标准驱动电压，有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为2500pF。器件的栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，具备良好的噪声抑制能力。该器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功耗为40W，适用于要求苛刻的工业环境。

凭借200V的耐压和40A的电流能力，STF40N20非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动和逆变器、不间断电源（UPS）以及各类工业控制设备中的功率转换模块。其TO-220FP封装提供了通孔安装的便利性和良好的散热特性，便于在标准PCB上实现稳固的机械固定和高效的热管理。

• 型号:STF40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至45毫欧（@20A），能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，75nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业功率控制等应用的理想选择。