STF4N52K3

STF4N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP封装，为通孔安装方式，提供了良好的机械强度和散热性能。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化的单元结构和沟道设计，在保持高阻断电压的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了优异的开关性能与功率转换效率。

该器件具备525V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，结合仅2.6欧姆（@1.25A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下的低功耗与低发热。其栅极驱动特性同样出色，标准10V驱动电压下，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，这有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，降低开关损耗。

在接口与关键参数方面，STF4N52K3的栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为334pF，较低的电容值进一步优化了高频开关性能。器件的最大功率耗散为20W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，展现了良好的热稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高频逆变器以及电机驱动控制等场景。尤其是在要求高效率、高可靠性的AC-DC转换器和照明镇流器设计中，它能有效提升系统整体能效和功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量项目或对成本敏感的设计中仍具参考价值。

• 型号:STF4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF4N52K3是意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。其核心优势在于高达525V的漏源击穿电压（Vdss）与低至2.6欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在2.5A的连续漏极电流下能有效降低导通损耗。

器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，栅极驱动电压为10V，这有助于实现快速开关并降低驱动电路的复杂性。其设计支持最高150°C的结温（TJ）和20W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源初级侧、PFC及电机驱动等中功率高压应用的理想选择。