STF4N90K5

STF4N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高电压开关应用提供卓越的性能与可靠性平衡。其核心架构通过创新的单元布局和先进的沟槽栅技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了栅极电荷（Qg）和内部电容（Ciss, Coss, Crss），从而实现了更低的导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。

该器件具备900V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、照明系统等场合中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合仅2.1欧姆（在1A，10V条件下）的最大导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性同样出色，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了宽裕的设计余量。此外，极低的栅极电荷（Qg最大值5.3nC @ 10V）和输入电容（Ciss最大值173pF @ 100V）意味着更快的开关速度和更低的驱动电路损耗，有助于简化栅极驱动设计并提升系统频率。

在封装与可靠性方面，STF4N90K5采用TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为20W（Tc）。器件的工作结温（Tj）范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及其相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的优良特性组合，这款MOSFET非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及工业电机控制等应用场景。它在提升系统功率密度和能效等级方面表现出色，是工程师设计下一代高能效电力电子设备的理想选择之一。

• 型号:STF4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3
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STF4N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至2.1欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高电压应用中能有效降低导通损耗。

此外，器件具备4A的连续漏极电流（Id）能力，并拥有优化的动态特性，包括极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于实现高速开关并减少驱动损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的工业与消费类电源解决方案。