STF4NK50ZD

STF4NK50ZD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在为高压开关应用提供一个高效可靠的半导体解决方案，内部集成了体二极管，为感性负载的续流提供了路径。

该MOSFET的显著特性在于其500V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC变换器、功率因数校正（PFC）电路等高压环境中的电压应力。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小体积的磁性元件。

在电气参数上，该器件在壳温（Tc）条件下可连续通过3A的漏极电流，最大功耗为20W。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性，而栅源电压最大可承受±30V，提供了宽裕的安全裕度。该MOSFET采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以管理热耗散。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要可靠货源和全面技术支持的设计项目，可以通过授权的ST一级代理进行采购咨询。

凭借其高压能力和稳健的性能，STF4NK50ZD非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及各类工业控制设备的功率转换部分。在这些场景中，它常被用作主开关管、PFC开关管或缓冲电路中的开关元件，是实现高效、紧凑型电源设计的关键组件之一。

• 型号:STF4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF4NK50ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于平衡了高耐压与低导通特性，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，有助于提升能效。同时，优化的栅极电荷和输入电容参数支持更快的开关速度，适用于对频率和效率有要求的电源拓扑。该器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），具备良好的热性能和环境适应性。