STF5N52K3

STF5N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和第三代超级结技术，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压之间的出色平衡。其核心设计目标是在高压开关应用中提供高效率与高可靠性，内部结构经过精心优化，以最小化寄生电容和栅极电荷，从而提升开关速度并降低开关损耗。

该器件的一个显著特点是其525V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和浪涌，确保系统在恶劣的电气环境下稳定工作。配合1.5欧姆的低导通电阻（Rds(on)）（测试条件为2.2A，10V），它在导通期间能够有效降低功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度，而典型栅极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性。

在动态特性方面，STF5N52K3表现出色。最大栅极电荷（Qg）仅为17nC，结合输入电容（Ciss）最大值为545pF，这意味着驱动电路所需的驱动电流较小，有助于简化栅极驱动设计并进一步减少开关损耗。其封装采用TO-220FP，这是一种带隔离安装孔的直插式封装，具有良好的机械强度和散热能力，标称最大功率耗散为25W（基于壳温Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适合要求严苛的工业环境。

凭借其高压、低损耗和稳健的特性，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式变换器的主开关管，以及电机驱动、照明镇流器和工业控制中的高压侧开关。对于需要可靠高压开关解决方案的设计工程师，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术资料与支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中进行选型时，建议咨询制造商以获取替代产品信息。

• 型号:STF5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5N52K3是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值与1.5欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升系统效率。

其动态特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）低至17nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件采用TO-220FP封装，提供良好的散热性能，最大功率耗散能力达25W（Tc），工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的可靠性与耐用性。