STF5N80K5

STF5N80K5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在满足高压开关应用中对高效率和高可靠性的严苛要求，为电源设计工程师提供了一个性能卓越的功率开关解决方案。

该器件具备多项关键特性，使其在同类产品中表现突出。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，能够有效应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和浪涌，确保系统在恶劣的电气环境下稳定工作。同时，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在导通状态下具有更小的功率损耗，有助于提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均保持在较低水平，这不仅降低了栅极驱动的功率需求，也显著提升了开关速度，减少了开关过程中的过渡损耗，特别适用于高频开关电源拓扑。

在电气参数方面，STF5N80K5在25°C环境温度下可连续通过4A的漏极电流，结合20W（Tc）的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全范围。器件采用TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在PCB上安装并可通过散热器进行有效热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式变换器的主开关、以及电子镇流器和工业照明驱动器中。它也适用于电机控制、UPS（不间断电源）和电焊机等需要高效高压开关的工业设备，为提升系统功率密度和能源效率提供了可靠的半导体基础。

• 型号:STF5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和4A连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。器件具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，同时其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性确保了快速开关能力，从而有效降低开关损耗。这些特性共同作用，使其在要求高效率和高可靠性的电源转换系统中表现出色。