STF6N52K3

STF6N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计目标是在高压开关应用中提供高效、可靠的性能，其525V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在离线电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的稳定工作裕量。

该MOSFET的功能特性围绕其高压开关性能展开。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关损耗，提升高频开关性能。器件具备±30V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，增强了驱动电路的鲁棒性。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，适用于严苛的热环境。

在电气接口与参数方面，STF6N52K3在壳温（Tc）25°C条件下的连续漏极电流（Id）额定值为5A，最大功耗为25W。其阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在标准PCB上安装并利用外部散热器进行高效的热管理。对于需要此型号进行设计维护或备货的用户，可以通过授权的ST芯片代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

得益于其高压、低损耗的特性组合，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS系统中的功率级。其设计旨在帮助工程师构建更紧凑、能效更高的高压功率电路，尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术特性和应用验证在相关领域仍具有参考价值。

• 型号:STF6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF6N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括525V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电压阻断能力和可观的电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（典型1.2欧姆 @ 2.5A, 10V）与优化的开关特性（栅极电荷Qg仅26nC）的良好结合，这有助于在电源转换电路中同时降低导通损耗与开关损耗，提升整体能效。器件采用TO-220FP通孔封装，支持宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C），适用于对可靠性和热管理有要求的工业级与消费类电源设计。