STF6N90K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列的一员，STF6N90K5是一款采用先进超结技术（Super-Junction）的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和垂直导电结构，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用TO-220FP封装，这种封装在提供通孔安装便利性的同时，其全塑封结构也增强了电气绝缘性能，有助于简化系统散热设计。

该器件最显著的功能特点是其高达900V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在实现高耐压的同时，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为1.1欧姆，这有效降低了导通损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了宽裕的设计余量。

在电气参数方面，STF6N90K5在壳温（Tc）25°C条件下的连续漏极电流（Id）额定值为6A，最大功耗为25W。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的抗干扰能力。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。这些参数共同定义了一款适用于高压、中功率场景的稳健开关器件。

基于其技术特性，STF6N90K5非常适用于需要高效率和可靠性的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、服务器电源和工业电源的PFC（功率因数校正）及主开关拓扑。它也适用于照明领域的电子镇流器、LED驱动电源，以及电机控制、UPS等应用。工程师在选型时，可通过授权的ST代理商获取完整的技术资料、样品及供应链支持，以确保设计的合规性与量产稳定性。

• 型号:STF6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和高效能的开关应用而设计。

其技术亮点在于通过先进的超结技术，在维持高阻断电压的同时，实现了较低的导通电阻（1.1欧姆 @ 3A, 10V），这有助于显著降低导通损耗，提升电源系统的整体效率。器件支持10V标准驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类工业及消费电子电源拓扑，如PFC、反激式转换器中的稳定和可靠运行。