STF7N52K3

STF7N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP通孔封装，专为需要高耐压、高效率开关性能的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过改进的沟槽栅极和超结技术，实现了在525V高漏源电压（Vdss）下，导通电阻（Rds(on)）的显著降低，从而有效减少了导通损耗。

这款MOSFET的关键特性在于其卓越的开关性能与稳健性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6A，而最大导通电阻仅为850毫欧（在3A，10V条件下），这确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC（@10V），这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。器件支持高达±30V的栅源电压（Vgs），提供了充足的噪声裕量，增强了系统在复杂电磁环境中的可靠性。

在电气参数方面，STF7N52K3展现了全面的性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，具有明确的导通特性。输入电容（Ciss）在100V条件下最大为870pF，结合较低的Qg，共同优化了开关速度。器件的最大功率耗散能力为25W（Tc），并且结温（TJ）最高可工作在150°C，这为其在持续高负载或环境温度较高的场景下稳定运行提供了保障。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品的技术支持和库存信息。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术特性使其在过去及当前的某些存量设计中仍具有参考价值。其典型应用场景主要集中于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明镇流器等中高功率领域。在这些应用中，其525V的高耐压能力能够轻松应对交流线路电压的波动和关断时产生的电压尖峰，而其良好的开关特性有助于提升整体系统的能效和功率密度。

• 型号:STF7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至850毫欧的导通电阻（Rds(on)），这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升效率。

在开关性能上，其栅极电荷（Qg）最大值为33nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持10V标准驱动，连续漏极电流（Id）可达6A，最大结温为150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行能力。这些特性使其非常适用于开关电源、电机驱动等对耐压和效率有较高要求的功率转换场景。