STF7N80K5

STF7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。得益于这种设计，该MOSFET能够在高频开关应用中保持稳定的性能，同时有效控制温升。

该器件具备多项突出的电气特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，确保了系统的可靠性与鲁棒性。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.2欧姆（@3A），这直接转化为更低的通态损耗，有助于减少发热并提升能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.4nC，结合360pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更低，这不仅简化了栅极驱动设计，还能实现更快的开关速度，进一步降低开关损耗。

在接口与参数方面，STF7N80K5采用标准的TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功耗为25W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，为设计提供了灵活性。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保获得原厂正品和完整的供应链服务。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STF7N80K5非常适用于对效率和可靠性有高要求的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、服务器电源和工业电源的PFC（功率因数校正）及主开关拓扑。此外，它在照明电子镇流器、工业电机控制、UPS（不间断电源）以及电焊机等设备的功率开关部分也能发挥出色性能。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型功率转换解决方案的理想选择。

• 型号:STF7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源击穿电压和6A的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的可靠性基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻低至1.2欧姆，有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（13.4nC）和输入电容确保了快速的开关特性，有助于最小化开关损耗，提升系统整体效率。该器件采用TO-220FP封装，最大功耗25W，工作结温范围达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。