STF8NK85Z

STF8NK85Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道结构设计，通过优化的单元密度和栅极布局，在确保高阻断电压能力的同时，有效平衡了导通电阻与栅极电荷等关键参数。其核心在于实现了850V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压尖峰和浪涌，为系统提供了宽裕的安全裕量，提升了整体可靠性。

在电气特性方面，该MOSFET在25°C壳温（Tc）条件下可提供6.7A的连续漏极电流（Id），最大功耗为35W。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V、Id=3.35A的测试条件下典型值为1.4欧姆，这一特性有助于降低器件在导通状态下的功率损耗，提升能效。栅极驱动设计友好，驱动电压（Vgs）最大值为±30V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了与常见控制器良好的兼容性及抗干扰能力。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为60nC（@10V），结合1870pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率和功率密度至关重要。

该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在典型功率应用中安装散热器。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要高可靠性供货和技术支持的客户，建议通过官方ST授权代理进行采购，以确保获得正品器件和完整的应用支持。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有的工业电源、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及消费类适配器等高压开关电路中，STF8NK85Z凭借其高耐压、低栅极电荷和稳健的SuperMESH技术，依然是一个经过市场验证的经典选择，尤其适用于对成本敏感且需要高可靠性的升级或备料方案。

• 型号:STF8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF8NK85Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心规格为850V漏源电压（Vdss）与6.7A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备35W的功率耗散能力。

其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性平衡。在10V栅极驱动下，其最大导通电阻（Rds(on)）为1.4欧姆，同时栅极总电荷（Qg）最大值控制在60nC，这有助于实现高效率与低开关损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高耐压与可靠性的功率开关场景。