STF8NM50N

STF8NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与快速开关特性的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了栅极电荷的优化控制，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。得益于这一架构，工程师能够在高压应用中实现更紧凑的功率级设计，并有效管理热耗散。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达500V，使其能够从容应对工业级AC-DC转换、功率因数校正（PFC）等高压环境下的电压应力。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）可达5A，提供了可观的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为790毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其最大栅极电荷（Qg）低至14nC（@10V），结合364pF的输入电容，意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度，减少开关过程中的损耗。

在接口与参数方面，STF8NM50N设计为标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式在提供良好机械强度和散热能力的同时，也便于在原型设计和批量生产中进行安装与焊接。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，增强了应用的鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了足够的噪声容限。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行，最大功率耗散为20W（Tc）。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STF8NM50N非常适用于对效率和可靠性有高要求的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）初级侧开关、照明镇流器、电机驱动逆变器以及不间断电源（UPS）等系统中的理想选择。在太阳能逆变器、工业电源和高效适配器等设计中，该器件能够有效提升功率密度和能源转换效率，帮助终端产品满足日益严格的能效标准。

• 型号:STF8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF8NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下5A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为790毫欧（@2.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值低至14nC。这些参数的结合使得该器件在高压开关应用中能显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的稳定运行。