STF9NK80Z

STF9NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直DMOS结构设计。该器件基于成熟的TO-220FP通孔封装，其核心架构旨在实现高压环境下的高效功率开关。通过优化的单元密度和栅极设计，它在高漏源电压（Vdss）下维持了较低的导通电阻（Rds(on)），这一特性对于减少导通损耗至关重要。其内部结构确保了在高温工作点（结温Tj可达150°C）下仍能保持稳定的电气性能，为系统提供了可靠的热余量。

该MOSFET的显著功能特点体现在其800V的高压阻断能力与7.5A的连续漏极电流承载力的结合上。其导通电阻在10V栅极驱动电压、3.75A测试条件下最大值仅为1.2欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于降低开关损耗，并简化驱动电路的设计。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了器件在瞬态条件下的鲁棒性。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与关键参数方面，STF9NK80Z采用标准的三引脚TO-220FP封装，便于安装和散热管理。其输入电容（Ciss）在25V偏置下最大值为1900pF，与适中的栅极电荷共同决定了其开关速度特性。器件在25°C壳温（Tc）下的最大功率耗散为35W，这要求在实际应用中配合适当的散热设计以充分发挥其性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与常见逻辑电平或驱动IC的良好兼容性，同时提供了足够的噪声容限。

凭借其高压、低损耗的特性，STF9NK80Z非常适用于要求严苛的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如反激式、正激式转换器，尤其适合作为功率因数校正（PFC）电路或高压DC-DC转换级中的主开关管。它也常见于工业电机驱动、照明镇流器以及UPS（不间断电源）等需要高效能功率管理的应用场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的SuperMESH技术优势，仍在相关领域的高可靠性设计中具有参考价值。

• 型号:STF9NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF9NK80Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF9NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于提供了800V的漏源击穿电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）能力，适用于高压功率开关应用。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。