STF9NK90Z

STF9NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元结构和外延层设计，在确保高阻断电压的同时，实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计目标是在高压开关应用中提供高效率与高可靠性，内部集成了快速恢复体二极管，有助于在感性负载条件下管理反向恢复能量，提升系统鲁棒性。

该MOSFET的突出特性在于其900V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，为系统提供充裕的安全裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，结合最大72nC的栅极总电荷（Qg @ 10V），共同决定了其优异的开关性能，有助于降低开关损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了良好的噪声免疫性和驱动的简易性。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购，以保障产品正品与稳定供应。

在电气参数上，STF9NK90Z在壳温（Tc）25°C条件下可连续通过8A的漏极电流，最大功率耗散为40W。其输入电容（Ciss）和栅源电压（Vgs）最大值等参数为驱动电路的设计提供了明确依据。器件采用TO-220FP封装，这是一种带隔离安装孔的直插式封装，便于安装在散热器上，其通孔安装方式在需要高机械强度和良好散热性能的工业应用中非常普遍。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行能力。

凭借高耐压、低损耗和强固的封装特性，STF9NK90Z非常适用于对效率和可靠性有严格要求的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和变频器的逆变桥臂、照明镇流器以及不同断电源（UPS）系统。在这些场景中，它能够有效处理高电压大电流的开关动作，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键组件之一。

• 型号:STF9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF9NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为900V漏源电压（Vdss）与8A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术优势体现在采用SuperMESH技术，实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的良好折衷，这有助于提升开关频率并降低开关损耗，从而提高整体电源系统的效率。高达900V的耐压为其在工业电源和电机驱动等存在电压应力波动的环境中提供了关键的安全保障。

此外，器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备40W的功率耗散能力，确保了其在严苛工况下的长期稳定运行，是构建高效、紧凑型高压功率转换电路的理想选择。