STF9NM50N

STF9NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，在维持500V高漏源击穿电压的同时，有效降低了单位面积的导通电阻，从而提升了功率转换效率。这种架构特别注重优化开关过程中的电荷特性，有助于降低开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压、3.7A漏极电流条件下典型值仅为560毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，栅极总电荷（Qg）最大值控制在20nC，结合570pF的输入电容，意味着器件所需的驱动能量较低，能够简化驱动电路设计并进一步提升开关速度。其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。这些特性共同确保了器件在高效与可靠两方面的优异性能。

在接口与参数方面，STF9NM50N采用标准的TO-220FP绝缘封装，便于通孔安装并提供良好的散热路径。其额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C条件下为5A，最大功耗为25W（Tc），结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了稳健的功率处理能力。其阈值电压Vgs(th)最大为4V，具备一定的抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

得益于500V的高压能力和良好的开关特性，STF9NM50N非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。在这些领域中，其低导通电阻和电荷特性有助于提升整体能效，而高耐压则确保了系统在浪涌电压下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关历史方案或备件替换中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STF9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF9NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为560毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值20nC）和输入电容有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体电源系统的效率与功率密度。