STFH10N60M6

STFH10N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和专利的制造工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部寄生电容，这使得它在高频开关应用中能够有效降低开关损耗和电磁干扰，提升整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路提供了充足的电压裕量，确保了系统在电网波动下的可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6.4A，结合600mΩ（最大值，在3.2A，10V条件下）的低导通电阻，意味着在导通期间能够产生更少的热量，从而提高功率密度。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值仅为8.8nC，输入电容（Ciss）也较低，这共同降低了驱动电路的功率需求，简化了栅极驱动设计，并允许更高的开关频率。

在接口与参数方面，器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好机械强度和散热能力的同时，其引脚排布也便于在标准PCB上进行布局。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较强的抗栅极噪声能力。阈值电压Vgs(th)典型值适中，确保了可靠的开启与关断。器件的结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为20W（Tc），使其能够适应苛刻的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和高开关频率的特性，STFH10N60M6非常适用于需要高效电能转换的场合。典型应用包括工业电源、服务器和通信设备的开关电源（SMPS）、照明领域的LED驱动电源、以及空调、洗衣机等家电中的电机驱动和PFC电路。它在这些应用中能够有效提升系统效率，减少散热器尺寸，最终帮助设计者实现更紧凑、更节能的电源解决方案。

• 型号:STFH10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFH10N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压高效应用，其核心优势在于平衡了导通损耗与开关性能。

它提供600V的漏源电压（Vdss）和6.4A的连续漏极电流（Id）能力，并凭借先进的工艺技术实现了低至600mΩ的导通电阻（Rds(on)）以及极低的栅极电荷（Qg，最大值8.8nC）。这些参数共同确保了器件在导通状态下的低功耗和高频开关下的高效率。其采用TO-220FP封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源设计。