STFH40N60M2

STFH40N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和高达34A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、17A电流条件下典型值仅为88毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在57nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关过程中的能量损失。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取正品器件与技术资料。

在接口与参数方面，STFH40N60M2采用标准的TO-220FP封装，提供通孔安装方式，兼顾了散热性能与机械强度。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±25V的Vgs，增强了设计的灵活性。器件的输入电容（Ciss）在100V偏压下最大为2500pF，结合其栅极电荷特性，共同决定了开关动态性能。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散为40W（基于壳温），确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STFH40N60M2非常适用于要求苛刻的功率转换领域。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能设备。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和能效，满足现代电子系统对高效率和高可靠性的双重需求。

• 型号:STFH40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFH40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和34A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

该器件的关键优势在于实现了优异的性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至88毫欧（@10V， 17A），有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg， 最大57nC @10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。器件采用TO-220FP封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种环境下的可靠性与耐用性。