STFI13NM60N

STFI13NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心在于优化了单元密度和栅极结构，通过降低栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），显著提升了开关性能，同时保持了稳健的雪崩耐量和体二极管特性，为高效率功率转换提供了可靠的半导体基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的高压母线环境。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。此外，高达150°C的结温（TJ）工作能力和25W（Tc）的功率耗散上限，赋予了其良好的热性能和功率处理裕量。

在接口与参数层面，STFI13NM60N采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热能力，便于在需要高可靠性的功率板上进行焊接和安装。其驱动电压（Vgs）范围为±25V，为标准电平驱动提供了充足的余量。关键动态参数，如不同Vds下的输入电容（Ciss），也经过精心优化，以平衡开关速度与EMI性能。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关产品信息、设计资源及库存支持。

得益于其性能组合，STFI13NM60N非常适用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑。同时，它在工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用中也表现出色，能够有效处理高电压、中等电流的功率开关任务，是构建高效、紧凑型功率系统的关键元件之一。

• 型号:STFI13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）具有竞争优势，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了高效的开关性能，支持更高频率的电源设计，从而提升功率密度和整体系统效率。