STFI26N60M2

STFI26N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速响应与可靠性。这种架构使其特别适合在需要高效率能量转换的拓扑中作为核心开关元件。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）和电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌电压下的鲁棒性。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、11A电流条件下典型值仅为165毫欧，这一低阻值直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。器件在壳温（Tc）条件下可承载高达20A的连续漏极电流，并支持±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全范围。其采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散能力为30W（Tc）。

在参数层面，STFI26N60M2的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，有助于防止因噪声引起的误开启，提升抗干扰能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但对于仍在维护或特定设计的项目，通过可靠的ST芯片代理渠道仍可获取库存或替代方案咨询。其优异的开关性能和耐压能力，使其接口特性非常适合与主流PWM控制器配合使用。

得益于其高耐压和低导通损耗的特性，该器件主要面向中高功率的AC-DC开关电源，如服务器电源、通信电源和工业电源的PFC（功率因数校正）及主开关拓扑。此外，在电机控制领域，如变频器、逆变器和无刷直流电机驱动中，它也能作为高效的桥臂开关。其稳健的设计也适用于照明镇流器、焊接设备和UPS（不间断电源）等需要可靠高压开关的场合。

• 型号:STFI26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用通孔式I2PAKFP（TO-281）封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与20A（Tc）连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至165毫欧（@11A），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。结合其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，该器件旨在满足工业级电源转换与电机驱动应用对高效率和高可靠性的严格要求。