STFI26NM60N

STFI26NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其内部架构专为降低开关损耗和传导损耗而设计，通过精细控制栅极电荷和寄生电容，实现了优异的动态性能，这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与165毫欧的低导通电阻（Rds(on)）的出色组合。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达20A，确保了强大的电流处理能力。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC，这有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。其高达±25V的栅源电压（Vgs）耐受范围提供了良好的抗干扰鲁棒性，而150°C的最高结温（TJ）则保证了在严苛环境下的工作可靠性。

在电气参数方面，STFI26NM60N展现了平衡的性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了足够的噪声容限。输入电容（Ciss）在50V条件下最大为1800pF，结合较低的Qg，共同决定了其快速的开关特性。器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其35W（Tc）的最大功率耗散能力需要配合适当的散热设计来实现。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，工程师在特定设计中仍可能获取库存或寻找其后续升级替代方案。

凭借其高耐压、低导通电阻和高电流能力的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关拓扑中，例如反激、正激或半桥电路。它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机以及照明镇流器等应用场景，作为关键的功率开关元件，负责高效地进行电能转换与控制。

• 型号:STFI26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI26NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）典型值仅为165毫欧，实现了高耐压与低损耗的优异平衡。

其技术亮点包括最大60nC的低栅极电荷（Qg），这有助于降低开关损耗并提升系统效率，适用于高频开关场景。器件支持高达±25V的栅源电压，具备良好的驱动鲁棒性，最高结温为150°C，确保了在功率应用中的稳定性和可靠性。这些参数使其成为中高功率开关电源和电机驱动等应用的理想功率开关选择。