STFI34NM60N

STFI34NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，使得在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够有效控制寄生电容并提升开关性能，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性体现在其电气参数上。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达29A，展现出强大的电流处理能力。导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14.5A电流条件下典型值仅为105毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积。

在接口与可靠性方面，STFI34NM60N采用通孔安装的I2PAKFP（亦称TO-281）封装，该封装具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散为40W（Tc）。器件支持高达±25V的栅源电压（Vgs），提供了较宽的驱动安全裕度。其结温（TJ）最高可工作于150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于关键物料供应，工程师可通过正规的ST一级代理渠道获取详细的产品技术资料与库存信息。

凭借600V的耐压等级和优异的开关特性，这款器件非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器以及电机驱动、不间断电源（UPS）和工业照明等应用场景。在这些领域中，它能够有效担任主开关或同步整流开关的角色，帮助设计者构建高效率、高功率密度的电源解决方案，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

• 型号:STFI34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 想获取STFI34NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STFI34NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为600V，在25°C壳温下可承受高达29A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。

其核心优势在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为105毫欧，有助于降低导通状态的能量损失。同时，最大84nC的栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关速度，减少开关损耗。器件采用I2PAKFP通孔封装，最大结温为150°C，为电源转换系统提供了可靠的性能基础。